专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]集成芯感应器及其制造方法-CN201510769800.4有效
  • 郭俊聪;卢玠甫;苏彦硕 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2015-11-12 - 2018-11-06 - H01L23/64
  • 本发明提供了一种形成半导体器件的方法,方法包括在位于衬底上方的第一层中形成下线圈片段,在下线圈片段和第一层上方形成第二层,各向异性蚀刻第二层的顶部以在下线圈片段上方形成开口,在开口中沉积磁性材料以形成芯,在芯和第二层上方形成第三层,形成延伸穿过第二层和第三层的通孔,以及在形成通孔之后,在第三层和芯上方形成上线圈片段,其中,通孔将上线圈片段和下线圈片段连接。本发明实施例涉及集成芯感应器及其制造方法。
  • 集成感应器及其制造方法
  • [发明专利]存储单元结构及存储器-CN202311004663.6在审
  • 熊丹荣;张洪超;卢世阳;吕术勤;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 - 致真存储(北京)科技有限公司
  • 2023-08-10 - 2023-09-29 - H10B61/00
  • 本发明涉及一种存储单元结构及存储器,包括:隧道结,包括层叠的反铁层、自由层、势垒层与参考层;自旋霍尔层,设置于反铁层背向自由层的一侧;功能层,采用材料,贴合于自旋霍尔层背向反铁层的一侧;其中,功能层背向自旋霍尔层的一侧用于连接电位,以在数据写入时使功能层的顶侧和底侧之间形成电势差和电场。本发明在自旋霍尔层背向反铁层的一侧设置功能层,在进行数据写入时,该功能层产生的电场能够使得功能层的晶格发生形变,产生应力,进而传递至反铁层与自由层,改变反铁层与自由层的各向异性,从而使得自旋霍尔层较容易翻转反铁层与自由层
  • 存储单元结构存储器

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